隨著軍事工業產品的發展，對于微波產品要求小型化、高可靠性與穩定性的要求，微波產品傳統結構已不能滿足要求；國外在80年代開始發展薄膜技術、微組裝技術以及相關的材料應用，使產品小型化完全能夠實現，已在國內外進入大量工業應用階段，其典型的產品結構如下：裸裝芯片和薄膜電路、LTCC電路共晶焊在載板上，載板共晶焊在鋁或銅盒體上，熱匹配原因載板材料通常采用可瓦合金、鎢銅合金、鉬銅合金；

如果在DUT輸出端加大衰減器后怎樣使用矢量網絡分析儀進行校準和測試，今天天華中威科技小編介紹一下測試方法。矢網測量PA S12 S22和功率的方法1、傳統PA的矢網測量方法 DUT的大信號測量是至關重要的，尤其是S22（關系到與天線的匹配）和飽和功率（Psat，直接關系到發射功率）。在測試大功率PA時，由于一般PA輸出功率小至幾W，大到上百W，如果這么大的信號直接灌進矢網(矢網接收機線性區一般在10dbm左右，接收機最大輸入功率30dBm)，會導致矢網接收機壓縮甚至損壞，所以一般測量DUT增益或Psat的時候應在DUT的輸出端連接一個較大的衰減器，再與矢網的測量端口相連。

介紹了某雷達系統中發射上變頻器的設計思想及原理框圖，并著重論述了混頻器的設計及放大電路部分的幾種設計方法。本發射上變頻器組件是雷達系統中頻率合成器的重要組成部分，它的性能的好壞直接影響到整機的指標。

?射頻頻譜監控變得越來越具有挑戰性和復雜性。隨著諸如毫米波5G，雷達等不斷推向更高頻段的應用以及正在傳輸的無線信號的分集和帶寬不斷增加，RF專業人員需要解決方案以跟上快速發展的無線格局。過去的射頻測試和測量解決方案無法適應這種新的射頻信號環境。隨著新信號的不斷出現，軍事機構必須能夠靈活地調整其系統，以適應新的作戰需求，同時管理日益緊張的資源和預算。對于許多RF專業人員而言，升級其現有設備-甚至批發替換它們-是不切實際的選擇。迫切需要更具創新性和成本效益的方法來應對這個新的RF世界的挑戰。

隨著社會經濟的快速發展和科學技術水平的不斷提升，射頻電路抗高功率微波成為現代高科技對抗領域中的重要技術手段。天華中威科技小編整理本文以高功率微波前門注入損傷為例，結合接收機前門通道抗毀傷等方面相似的問題，并以此為基準就無源電路高功率應用，結合實踐中的情況，提出參考意見。